型号:SI5509DC-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SMD,扁平引线 | 描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6.1A,4.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 52 毫欧 @ 5A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 6.6nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 455pF @ 10V |
功率_最大 | 4.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
供应商设备封装 | 1206-8 ChipFET? |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
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0805(2012 公制)
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0805(2012 公制)
RES 1/10W 221 OHM .1% 0805
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8-SMD,扁平引线
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压力
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0805(2012 公制)
RES 1/10W 2K OHM .1% 0805
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- SI5511DC-T1-GE3
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压力
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3.38" x 2.88" x 1.65"(85.85mm x 73.15mm x 41.91mm)
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